侵權投訴

信創撕開了一道口子,國產存儲何時才能“一騎絕塵”

Simon觀察 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:黃山明 ? 2021-12-06 06:13 ? 次閱讀
電子發燒友網報道(文/黃山明)所謂“信創”,便是信息技術應用創新產業,也是數據安全、網絡安全的基礎,同時是新基建的重要組成部分。如今信息技術應用創新發展已經成為國家戰略,也是當今形式下國家經濟發展的新動能。
而發展信創主要是為了解決本質安全的問題,所謂本質安全是指通過設計等手段使生產設備或生產系統本身具有安全性,即使在誤操作或發生故障的情況下也不會造成事故的功能。換而言之,這需要我們做到技術可控,不再被人“卡脖子”。存儲是當今經濟數字化的重要一環,因此也是信創的重點之一。
存儲市場現狀
目前中國是存儲器最大的需求市場,據統計,在全球各地區當中,在中國的DRAM和NAND Flash銷售規模占據30%以上的市場份額。
但與之相對的是,由于中國半導體存儲產業起步較晚,而且初期發展并不均衡,同時,中國的存儲投資力度與國外廠商相比還有較大的差距,許多技術發展仍然需要投資支持。
從市場格局來看,目前韓日美西為主的存儲原廠占據絕對領導地位,而中國的半導體存儲由于起步晚,目前更偏向于封測、模組以及國外品牌的代理銷售。
如何幫助中國半導體存儲更快的發展,以及如何保障國內的技術安全可控,同時在面對廣大企業不斷向數字化轉型的當下,怎么保證國內的信息安全成為了重要的一環。
而信創的提出,便給了國產自主可控一個施展的空間。對于國產半導體存儲而言,雖然目前仍處于較為落后的地步,但信創的到來,也為國產存儲提供了一個發展的機會。
真實的國產存儲
有人可能會疑惑,既然是商業化時代,就讓企業們充分競爭,通過技術來一決高下,最終勝出的大概率是有強大技術或商業能力的企業存在,這些企業通常會為消費者帶來更好的生活體驗。大多數行業或許如此,但這里有一個前提,企業之前需要公平競爭。
國內的半導體存儲市場正處于并不公平的競爭態勢,受到技術實力、資金投入、起步慢等因素的影響,國內的半導體存儲仍然處于掙扎求存的狀態,大部分市場由三星、海力士、美光等大廠掌控。
盡管國內如今已經有了長江存儲、長鑫存儲、晉華集成等優秀的存儲企業,但在存儲器份額上,才剛剛突破了1%。
試想一下,這種情況下的國產存儲所面對的境遇是如何的呢?或許有人提到,如今國產替代已經成為大多數人的共識,那么國內存儲器自然能夠獲得更多的機會。
從整體市場來看,的確如此,不少國產的存儲器廠商在近幾年來,受到國產替代浪潮的帶動下,獲得了過去許多不曾有過的機會,但坦白來講,想要更快地讓國產存儲追上國際頭部水平,這些還不夠。
據業內相關人士透露,盡管當前有部分企業采購了一些國產存儲產品,但不管從質量、性能、還是穩定性上,都與國外產品相比要差一些。
想要更快一步的發展技術,就必須要更多的投入,比如三星每年在研發上都會投入200億美元。國內的長江存儲投資了240億美元,從2016年開始建設3D NAND工廠,二期于2020年開建。
顯然,存儲企業想要發展就需要持續的龐大資金支持和設備投入,來維持自身的競爭優勢。但國產存儲廠商在技術與產品沒有優勢的情況下,很難承擔如此大的支持。但是如果依靠國家供血,一方面對于政府財政壓力較大,另一方面可能會造成普遍的浪費。
而使用信創則會讓國內的存儲企業有一定的生存空間,并且可以從采購的企業中獲得反饋數據,并不斷進行升級迭代,這也是只依靠官方供血所無法得到的優勢。
信創與慢慢存儲路
有存儲行業內的企業高管透露說,目前開展信創以后,會專門做一個信創企業名錄,當企業面臨數字化轉型時,想要采購數據中心服務器或者使用云服務,都需要從信創企業名錄當中挑選。
這對于國內的存儲廠商而言無疑是一個好消息,不過隨后該高管又透露了另一個情況。即便如此,由于國產存儲器件在性能、穩定性上仍然與國產同類產品有較大的差距,一些事關重要數據的行業,如金融、銀行等相關機構,采購的存儲產品主要仍是國外品牌,只保證一定限度的信創產品采購額度。
這里別急著噴,在商言商,一個企業不可能做虧本生意,哪怕是有相關規定,但企業也會優先保證自己的利益,如果無法保證自己的利益,那么這塊業務企業寧愿不做。
對于國內的存儲廠商而言,如今這些由于信創而采購他們產品的企業,在過去想都不敢想,如今已經算是有了極大的進展。哪怕這些企業不愿意用,也可以明白為什么不愿意使用,與國外頂級存儲的差距到底在哪,可以為國產存儲指明一個未來的發展方向。
通過市場化運作,國產半導體存儲行業能夠真正地進入到產業鏈當中,通過信創來保證國產品牌的營收,從而有足夠的利潤來維持自身的研發。但需要承認的一點是,這段路程還很漫長。
收藏 人收藏
分享:

評論

相關推薦

Dialog的GreenPAK技術基礎架構介紹

GreenPAK是一系列極具成本效益的非易失性存儲器(NVM)可配置器件,有助于創新設計工程師將許多....
的頭像 Dialog半導體公司 發表于 12-03 14:40 ? 321次 閱讀

探究GDDR6給FPGA帶來的大帶寬存儲優勢以及性能測試(上)

1. 概述 隨著互聯網時代的到來,人類所產生的數據發生了前所未有的、爆炸性的增長。IDC預測,全球數....
的頭像 Achronix 發表于 12-03 11:31 ? 997次 閱讀
探究GDDR6給FPGA帶來的大帶寬存儲優勢以及性能測試(上)

瑞薩電子擴展衛星通信產品陣容推出商用的雙波束有源波束成形器IC產品

瑞薩電子今日宣布,擴展其毫米波LNA和Tx BFIC產品陣容,推出以下三款全新雙波束有源波束成形器I....
發表于 12-02 14:21 ? 863次 閱讀
瑞薩電子擴展衛星通信產品陣容推出商用的雙波束有源波束成形器IC產品

Keil中各種模式與存儲類型

1、存儲類型data:直接訪問內部數據存儲器(128字節片內RAM),訪問速度最快。bdata:可位....
發表于 12-02 13:06 ? 13次 閱讀
Keil中各種模式與存儲類型

基于單片機的存儲器讀寫實驗

存儲器讀寫實驗:對RAM的30H、31H單元分別賦值BCD碼75H、35H,試將兩個數相加,其BCD的差送32H單元。(說明):因...
發表于 12-02 06:11 ? 0次 閱讀

激光治療儀加語音提示功能的優勢

說到激光治療儀,激光是20世紀人類偉大發明之一,并且廣泛應用在很多領域。低強度激光照射治療的臨床價值....
發表于 12-01 17:13 ? 85次 閱讀

51系列單片機的內部存儲器簡介

51 系列單片機的內部存儲器與一般微型機存儲器的配置不同。一般微型機的程序存儲器和數據存儲器被安排在同一地址空間的不同范圍,...
發表于 12-01 08:32 ? 0次 閱讀

淺析51單片機存儲器結構

四、51單片機存儲器結構1.存儲器總體結構概述一般微機通常是程序和數據共用一個存儲空間,即ROM和RAM統一編址,屬于“馮&n...
發表于 12-01 08:24 ? 0次 閱讀

MCS-48單片機組成結構

單片機誕生于20世紀70年代,象Fairchild公司研制的F8單片微型計算機。所謂單片機是利用大規模集成電路技術把中央處理單元(Cen...
發表于 12-01 07:59 ? 0次 閱讀

MCS-51單片機物理結構相關資料推薦

文章目錄內存結構程序存儲器數據存儲器通用寄存器區位尋址區一般RAM區特殊功能寄存器區內存結構MCS-51單片機在物理結構上有...
發表于 12-01 06:57 ? 0次 閱讀

單片機定義介紹

一、單片機介紹定義概念在一片集成電路芯片上集成微處理器、存儲器、I/O接口電路,從而構成了單芯片微型計算機,即單片機(Si...
發表于 12-01 06:27 ? 0次 閱讀

大華新一代雙接口S809系列固態U盤:U盤大小,固態速度

在信息大發展時代,人們每分每秒會接收到數以萬計的信息內容,人們需要不斷進行信息更新與存儲。而U盤方便....
發表于 11-29 13:17 ? 38次 閱讀
大華新一代雙接口S809系列固態U盤:U盤大小,固態速度

R7F0C908B2DFP的相關資料分享

R7F0C908B2DFP-C#AA0MCU 16位RL78 CISC 48KB閃存2.5V / 3.3V / 5V 32引腳LQFP托盤數據總線寬度為16...
發表于 11-26 07:21 ? 0次 閱讀

STM32的三種Boot模式有何差異呢

STM32的三種Boot模式有何差異呢?如何去驗證這種差異呢? ...
發表于 11-26 07:15 ? 0次 閱讀

PCIe 4.0 SSD尚未起飛,就要迎戰速度翻倍的5.0

PCIe 4.0 SSD 尚未起飛,就要迎戰速度翻倍的5.0 ? 不久前,存儲廠商才紛紛投入PCIe....
的頭像 E4Life 發表于 11-25 09:33 ? 2506次 閱讀
PCIe 4.0 SSD尚未起飛,就要迎戰速度翻倍的5.0

單片機總線與系統擴展

文章目錄Chapter9:單片機總線與系統擴展9.1 單片機總線信號的定義9.1.1 總線接口信號圖9.1.2 系統擴展的方法9.1.3 地址譯碼器9...
發表于 11-25 08:38 ? 0次 閱讀

AT89S52單片機存儲器結構介紹

存儲結構機器語言匯編語言存儲器AT89S52單片機存儲器結構1.程序存儲器空間2.數據存儲器空間3.特殊功能寄存器SFR4.位地址...
發表于 11-25 06:24 ? 0次 閱讀

上海先楫半導體發布微控制器HPM6000系列,采用晶心AndesCore? 雙D45內核

目前全球性能最強的實時RISC-V微控制器HPM6000系列,主頻高達 800MHz,創下超過900....
發表于 11-24 10:49 ? 2386次 閱讀
上海先楫半導體發布微控制器HPM6000系列,采用晶心AndesCore? 雙D45內核

雙數據速率同步動態隨機存取存儲器

作者:Robert Taylor1? 德州儀器 雙數據速率同步動態隨機存取存儲器。哇!真夠拗口的。....
的頭像 電子設計 發表于 11-23 14:53 ? 157次 閱讀

除螨儀語音芯片推薦方案

螨蟲,主要是指塵螨。螨蟲引起的過敏性疾病主要有過敏性鼻炎、過敏性結膜炎、過敏性哮喘和過敏性皮炎,對患....
發表于 11-23 14:28 ? 114次 閱讀

51單片機(2)硬件結構(2)存儲器

一.存儲器的結構51單片機存儲采用的是哈佛結構,即程序存儲器空間和數據存儲器空間是各自獨立的,兩種存....
發表于 11-23 10:21 ? 34次 閱讀
51單片機(2)硬件結構(2)存儲器

微控制器平臺的特征

功能豐富的新型 MSP430TM 微控制器平臺一如既往地挑戰超低功耗極限,助力客戶邁近"無電池世界"....
的頭像 電子設計 發表于 11-21 16:21 ? 199次 閱讀

Melexis推出多通道LIN RGB LED控制器,提升汽車環境照明技術水平至全新高度

內置的直接和間接溫度監測允許對所有通道進行溫度補償,以確保在 -40℃ 至 125℃ 的整個溫度工作....
發表于 11-19 14:17 ? 1120次 閱讀
Melexis推出多通道LIN RGB LED控制器,提升汽車環境照明技術水平至全新高度

SWM181定制UserBoot執行流程

01 存儲器劃分 SWM181xB的Flash總大小為120K,其中前96K用于APP,后24K用于....
的頭像 華芯微特32位MCU 發表于 11-17 16:23 ? 362次 閱讀
SWM181定制UserBoot執行流程

PIC18F66K80存儲器構成(詳解)

本文來講講關于PIC18F66K80的存儲器一、程序存儲器何為程序存儲器?程序存儲器通常是只讀存儲器....
發表于 11-16 16:51 ? 30次 閱讀
PIC18F66K80存儲器構成(詳解)

存儲器是怎樣進行分類的?分為哪幾類

根據存儲元件的性能及使用方法不同,存儲器有各種不同的分類方法。
的頭像 工程師鄧生 發表于 11-13 15:22 ? 609次 閱讀

鐵電存儲器常見問題解決方案

FRAM(鐵電RAM)是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器(如 EEPROM、閃....
發表于 11-11 16:24 ? 124次 閱讀

11月游戲激情月,換塊硬盤重新出發

對于游戲玩家來說,陡入寒冬的11月,反而是激情的游戲月。目前已上市的有《極限競速:地平線5》、《足球....
的頭像 話說科技 發表于 11-10 11:40 ? 325次 閱讀
11月游戲激情月,換塊硬盤重新出發

基于FPGA的深度卷積神經網絡的核心硬件系統架構

第一部分 設計概述 1.1 設計目的 近些年隨著人工智能技術的發展,深度神經網絡算法逐步在星載、機載....
的頭像 FPGA技術江湖 發表于 11-09 14:35 ? 378次 閱讀
基于FPGA的深度卷積神經網絡的核心硬件系統架構

DSAX92004A 20GHz真正模擬帶寬示波器

Agilent DSAX92004A?示波器具有業界最深的存儲深度、業界最高的真正模擬帶寬、業界最低....
發表于 11-08 14:49 ? 1418次 閱讀

云存儲市場將隨著數據的指數型增長而快速崛起

自從步入到信息大爆炸時代,數據量的指數型增長也助推了全球云存儲市場規模的急劇增加,而在當下,數據正在....
的頭像 電子發燒友網 發表于 11-08 09:20 ? 2159次 閱讀

什么是I2C總線 I2C總線開發設計需要注意點

一、前言 I2C總線是由Philips公司開發的一種簡單、雙向二線制同步串行總線。它只需要兩根線即可....
的頭像 EDA365電子論壇 發表于 11-01 10:39 ? 625次 閱讀
什么是I2C總線 I2C總線開發設計需要注意點

工控機如何擴展網口卡?

網卡是一塊被設計用來允許工控機在工控機網絡上進行通訊的工控機硬件。由于其擁有MAC地址,因此屬于OS....
發表于 10-29 14:58 ? 184次 閱讀

凈利潤預增266% MCU占電表市場六成

電子發燒友網報道(文/莫婷婷)今年8月,復旦微電發布上市后首份財報顯示,公司2021年上半年財報營業....
的頭像 電子發燒友網 發表于 10-29 10:11 ? 484次 閱讀

有效解決內存墻問題 存算一體正處在快速發展階段

電子發燒友網報道(文/李彎彎)隨著技術的發展,現在計算的任務越來越復雜,需要的數據也越來越多,而在馮....
的頭像 電子發燒友網 發表于 10-29 10:02 ? 308次 閱讀

在擴展MCU功能時要明智地使用外部內存接口

  MCUs是許多嵌入式子系統設計中的關鍵元素,但通常需要額外的功能來實現必要的系統功能。在基于mc....
發表于 10-28 17:36 ? 17次 閱讀
在擴展MCU功能時要明智地使用外部內存接口

SRAM芯片適用于智能穿戴應用

自2016年智能穿戴新興行業的崛起及火爆程度,一度將所有有關于智能穿戴產品中的零件推進了新的高潮.其....
發表于 10-28 16:17 ? 551次 閱讀

FRAM存儲器都用在了哪里

FRAM (鐵電RAM) 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器 (如EEP....
的頭像 加賀富儀艾電子 發表于 10-28 10:26 ? 500次 閱讀

NewQ移動智能硬盤H2具體怎么工作的?

我入手了這款NewQ智能硬盤后,每天都可以釋放內存啦,照片、視頻、通訊錄、本地文件、音樂都可以放進去....
的頭像 話說科技 發表于 10-25 10:47 ? 498次 閱讀
NewQ移動智能硬盤H2具體怎么工作的?

新思科技推出業界首個完整HBM3 IP和驗證解決方案,加速多裸晶芯片設計

HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達921GB/s的內存帶寬。
發表于 10-22 09:46 ? 2691次 閱讀

深入探討單片機異常處理

在ARM處理器中,如果一個程序產生了錯誤并且被處理器檢測到,這是就會產生錯誤異常。 錯誤是怎么發生的....
的頭像 單片機匠人 發表于 10-20 10:55 ? 2468次 閱讀

東芝宣布開始量產M4N組20款新微控制器

東芝公司近日正式宣布已經開始量產M4N組的20款新微控制器,新款M4N組產品可用于串行存儲器接口強化....
的頭像 lhl545545 發表于 10-20 10:42 ? 534次 閱讀

特種技術——芯片改變我們的生活

我們大多數人非常熟悉存儲器和微處理器等硅芯片技術,但對手機等現代生活中非常重要的產品所使用的硅芯片,....
的頭像 西西 發表于 10-18 15:29 ? 3257次 閱讀
特種技術——芯片改變我們的生活

從入門到精通,泰克為工程師特別開設電源紋波測試課堂

例如目前主流微處理器的供電電壓已經低至1V左右,用于移動設備的LP-DDR系列存儲器,供電電壓最高也....
發表于 10-15 09:45 ? 1663次 閱讀
從入門到精通,泰克為工程師特別開設電源紋波測試課堂

全球最大市場 是時候出現好的國產存儲了

電子發燒友網報道(文/黃山明)從去年第三季度開始,半導體產業連瀕臨供應鏈斷裂與缺貨的問題,需求持續增....
的頭像 電子發燒友網 發表于 10-12 10:04 ? 2586次 閱讀

華大單片機HC32F4A0的產品特性介紹

包括上電復位(POR),低電壓檢測復位(PVD1R/PVD2R),端口復位(NRST)在內的 15 ....
發表于 10-12 09:17 ? 286次 閱讀

國產異步低功耗SRAM芯片的詳細介紹

靜態存儲SRAM芯片包含業界多樣的異步低功耗SRAM。而帶有ECC的異步SRAM適用于各種要求最高可....
發表于 10-11 16:33 ? 154次 閱讀

非易失性存儲器MR25H40VDF概述及優點

Everspin非易失性存儲器MR25H40VDF是具有SPI接口的MRAM,MR25H40VDF是....
發表于 10-11 16:12 ? 50次 閱讀

幾種使用DMA的可行設計探討

使用獨立于內核的外設(CIP)構建硬件狀態機 簡介 狀態機是邏輯單元、存儲器單元和反饋的組合。狀態機....
的頭像 Microchip微芯 發表于 10-11 09:58 ? 1390次 閱讀

SSD的可靠性可靠性量化指標MTBF

企業環境復雜多變,快速增長的業務需求使得企業在數據存儲規模、存儲性能和可靠性等多方面提出了越來越高的....
的頭像 SSDFans 發表于 10-11 09:50 ? 1644次 閱讀
SSD的可靠性可靠性量化指標MTBF

具有成本效益的非易失性存儲器可編程器件

GreenPAK是一種具有成本效益的非易失性存儲器(NVM)可編程器件,它有助于創新設計工程師集成許....
的頭像 Dialog半導體公司 發表于 10-09 17:20 ? 492次 閱讀

汽車存儲的痛點是什么

近幾年來,汽車的電動化、智能化、網聯化和共享化進程明顯,汽車電子在汽車中所占的比重越來越大。根據乘聯....
的頭像 電子發燒友網 發表于 10-09 09:57 ? 1104次 閱讀

Linkis成為做數據平臺的利器

微眾銀行開源項目Linkis正式通過Apache軟件基金會(ASF)的投票表決,全票通過進入ASF孵....
的頭像 數據分析與開發 發表于 10-08 16:19 ? 533次 閱讀

計算機工作原理是誰提出的

計算機硬件設備由存儲器、運算器、控制器、輸入設備和輸出設備5部分組成。
的頭像 西西 發表于 10-07 16:16 ? 1222次 閱讀

工程師國慶“旅行”指北,電源紋波測量有獎之旅走起

電源紋波是電源品質的重要指標之一,除了工程師外,普通用戶也會關心紋波的大小。通常在實驗室中示波器被用....
發表于 09-30 09:33 ? 1547次 閱讀
工程師國慶“旅行”指北,電源紋波測量有獎之旅走起

復旦微電子加入第98屆中國電子展,引領科技自立自強!

復旦微電子集團現已形成安全與識別、智能電表、非揮發存儲器、智能電器、可編程器件 FPGA 、互聯網創....
的頭像 西西 發表于 09-29 16:05 ? 5218次 閱讀
復旦微電子加入第98屆中國電子展,引領科技自立自強!

迎風起“5”!移遠通信亮相中國國際信息通信展覽會

移遠通信攜更新潮的物聯網模組、天線產品,以及前沿的客戶終端盛裝亮相3359號展臺,多維度呈現了移遠在....
發表于 09-29 11:01 ? 1549次 閱讀
迎風起“5”!移遠通信亮相中國國際信息通信展覽會

靈動微32位單片機MM32F0010A6T介紹

靈動微MM32F0010A6T采用內核M3的高性能32位單片機,工作頻率最高可達48兆赫茲,內置高速....
發表于 09-28 16:54 ? 118次 閱讀

串行MRAM芯片MR25H10MDCMDC的詳細介紹

MRAM像SRAM一樣是快速寫入的,而像Flash一樣也是非易失性的,但是不需要頁面擦除或長寫入周期....
發表于 09-28 16:51 ? 134次 閱讀

基于MM32SPIN系列MCU的電機應用方案

如今電機終端市場有三個很明顯的趨勢,那就是電機產品需要有更高的效率;更高的集成度,以便更好地機電一體....
發表于 09-28 16:33 ? 77次 閱讀

STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

oelectronics STM32H7高性能MCU基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC內核,工作頻率高達400MHz。Cortex-M7內核具有浮點單元 (FPU) 精度,支持Arm雙精度(符合IEEE 754標準)和單精度數據處理指令與數據類型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存儲器保護單元 (MPU),可增強應用的安全性。 該MCU采用高速嵌入式存儲器,具有高達2MB的雙區閃存、1 MB的RAM(包括192 KB的TCM RAM、864KB的用戶SRAM以及4KB的備份SRAM)。另外,該器件還具有各種連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣的增強型I/O和外設,以及支持內部和外部存儲器訪問的多層AXI互連。 該器件設有三個ADC、兩個DAC、兩個超低功耗比較器、一個低功耗RTC、一個高分辨率定時器、12個通用16位定時器、兩個用于電機控制的PWM定時器、五個低功耗定時器和一個真隨機數發生器 (RNG)。該器件支持四個用于外部Σ-Δ調制器 (DFSDM) 的數字濾波器,并設有標準和高級通信接口。 特性 核心 ...
發表于 10-28 14:50 ? 693次 閱讀
STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

標準的參數搜索 易于訪問密鑰產品參數 部件號搜索用于直接訪問特定的產品 數據表的下載離線咨詢 來采樣和購買 最喜歡的部分數字管理 產品功能分享通過電子郵件或社交媒體 適用于Android?或iOS?操作系統 在Wandoujia應用程序商店,為中國用戶提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS設備上使用的手機應用程序提供通過www.st.com在線產品組合中的一個用戶友好的替代搜索,驅動用戶使用以及便攜式設備順利和簡單的導航體驗。參數搜索引擎允許用戶快速識別出最適合其應用合適的產品。此應用程序可在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...
發表于 05-21 07:05 ? 227次 閱讀

ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二極管產品查找程序

,零件編號和產品 技術數據表下載和離線咨詢一系列的搜索功能 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般說明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表收藏欄目 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 可在安卓?和iOS?應用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android?和iOS?的應用程序,它可以讓你探索使用便攜式設備的ST二極管的產品組合。您可以輕松地定義設備最適合使用參數或一系列的搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由于采用了高效的零件號的搜索引擎。...
發表于 05-20 18:05 ? 189次 閱讀

ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM產品的取景器為Android和iOS

引導搜索 部分號碼搜索能力 主要產品功能發現 數據表下載和離線咨詢 產品功能分享通過電子郵件或社交媒體 樣品訂購所選產品的 主屏幕上的語言選擇 ST-EEPROM-FINDER是探索意法半導體串行EEPROM組合最快和最明智的方式使用智能電話或平板。
發表于 05-20 17:05 ? 158次 閱讀

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

或產品號的產品搜索能力 技術數據表下載和離線咨詢 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般說明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 適用于Android收藏節?和iOS?應用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android?和iOS?的應用程序,它可以讓你探索的ST功率MOSFET產品組合使用便攜設備。您可以輕松地定義設備最適合使用參數搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由于采用了高效的零件號的搜索引擎。...
發表于 05-20 17:05 ? 229次 閱讀

ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和傳感器產品查找用于移動設備

于Android和iOS電話移動應用 友好的用戶界面 的直觀的產品的選擇: MEMS和傳感器 評估工具 應用 參數搜索使用多個過濾器 部件號搜索 訪問技術文檔 從ST經銷商在線訂購 通過電子郵件或社交媒體最喜歡的部分數字管理經驗分享 支持的語言:英語(中國,日本和韓國即將推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移動應用程序的Android和iOS,提供用戶友好的替代通過MEMS和傳感器網絡產品組合搜索,驅動用戶一起順利和簡單的導航體驗。...
發表于 05-20 17:05 ? 158次 閱讀

AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) I2C兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5175是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5175的游標設置可通過I2C兼容型數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5175不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展...
發表于 04-18 19:35 ? 222次 閱讀

AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) SPI兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5174是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。 該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5174的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5174不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展工業...
發表于 04-18 19:35 ? 179次 閱讀

AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 標稱電阻容差誤差(電阻性能模式):±1%(最大值) 20次可編程游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 分壓器溫度系數:5 ppm/°C +9V至+33V單電源供電 ±9V至±16.5V雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 下載AD5292-EP (Rev 0)數據手冊(pdf) 溫度范圍:?55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/12616 DSCC圖紙號產品詳情AD5292是一款單通道1024位數字電位計1,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件能夠在寬電壓范圍內工作,支持±10.5 V至±16.5 V的雙電源供電和+21 V至+33 V的單電源供電,同時確保端到端電阻容差誤差小于1%,并具有20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291和AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機...
發表于 04-18 19:31 ? 259次 閱讀

AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校準的標稱電阻容差:±1%(電阻性能模式) 20次可編程 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 溫度系數(分壓器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 單電源供電 ±9 V至±16.5 V 雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 產品詳情AD5291/AD5292屬于ADI公司的digiPOT+? 電位計系列,分別是單通道256/1024位數字電位計1 ,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件的工作電壓范圍很寬,既可以采用±10.5 V至±16.5 V雙電源供電,也可以采用+21 V至+33 V單電源供電,同時端到端電阻容差誤差小于1%,并提供20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291/AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機會。在20-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將游標位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5291/AD52...
發表于 04-18 19:31 ? 254次 閱讀

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1 存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復至EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多信息,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表于 04-18 19:29 ? 269次 閱讀

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復為EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀/寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表于 04-18 19:29 ? 255次 閱讀

AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器可保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )產品詳情AD5252是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有256位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值?;菊{整模式就是在游標位設置(RDAC)寄...
發表于 04-18 19:29 ? 528次 閱讀

AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )產品詳情AD5251是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有64位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值?;菊{整模式就是在游標位設置(RDAC)寄存器...
發表于 04-18 19:29 ? 293次 閱讀

AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

信息優勢和特點 雙通道、1024位分辨率 標稱電阻:25 kΩ、250 kΩ 標稱電阻容差誤差:±8%(最大值) 低溫度系數:35 ppm/°C 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源 SPI兼容型串行接口 非易失性存儲器存儲游標設置 加電刷新EEMEM設置 永久性存儲器寫保護 電阻容差儲存于EEMEM中 26字節額外非易失性存儲器,用于存儲用戶定義信息 1M編程周期 典型數據保留期:100年 下載AD5235-EP數據手冊 (pdf) 溫度范圍:-40℃至+125°C 受控制造基線 一個裝配/測試廠 一個制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/11605 DSCC圖紙號產品詳情AD5235是一款雙通道非易失性存儲器1、數控電位計2,擁有1024階躍分辨率,保證最大低電阻容差誤差為±8%。該器件可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和出色的低溫度系數性能。通過SPI?-兼容串行接口,AD5235具有靈活的編程能力,支持多達16種工作模式和調節模式,其中包括暫存編程、存儲器存儲和恢復、遞增/遞減、±6 dB/階躍對數抽頭調整和游標設置回讀,同時提供額外的EEMEM1 ,用于存儲用戶定義信息,如其他元件的存儲器數據、查找表、系統標識信息等。...
發表于 04-18 19:28 ? 376次 閱讀

AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

信息優勢和特點 1024位分辨率 非易失性存儲器保存游標設置 上電時利用EEMEM設置刷新 EEMEM恢復時間:140 μs(典型值) 完全單調性工作 端接電阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存儲器寫保護 游標設置回讀功能 預定義線性遞增/遞減指令 預定義±6 dB/步對數階梯式遞增/遞減指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源供電產品詳情AD5231是一款采用非易失性存儲器*的數字控制電位計**,提供1024階分辨率。它可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和遙控能力。該器件功能豐富,可通過一個標準三線式串行接口進行編程,具有16種工作與調整模式,包括便箋式編程、存儲器存儲與恢復、遞增/遞減、±6 dB/步對數階梯式調整、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。在便箋式編程模式下,可以將特定設置直接寫入RDAC寄存器,以設置端子W–A與端子W–B之間的電阻。此設置可以存儲在EEMEM中,并在系統上電時自動傳輸至RDAC寄存器。EEMEM內容可以動態恢復,或者通過外部PR選通脈沖予以恢復;WP功能則可保護EE...
發表于 04-18 19:28 ? 414次 閱讀

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一個EEPROM串行128-Kb SPI器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件保護 低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0& 1,1) 工業溫度范圍 自定時寫周期 64字節頁面寫緩沖區 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或所有EEPROM陣列 1,000,000計劃/時代se周期 100年數據保留 8引腳SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此設備無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 其他識別具有永久寫保護的頁面 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 19:13 ? 561次 閱讀

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一個EEPROM串行256-Kb SPI器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字節頁面寫緩沖區 具有永久寫保護的附加標識頁(新產品) 自定時寫周期 硬件和軟件保護 100年數據保留期 1,000,000個程序/擦除周期 低功耗CMOS技術 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業溫度范圍 8引腳SOIC ,TSSOP和8焊盤UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,以及符合RoHS標準 應用 汽車系統 Communica tions Systems 計算機系統 消費者系統 工業系統 ...
發表于 04-18 19:13 ? 1418次 閱讀

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩沖區 自定時寫入周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
發表于 04-18 19:13 ? 323次 閱讀

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一個EEPROM串行16-Kb SPI器件,內部組織為2048x8位。它們具有32字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0& 1,1) 32字節頁面寫入緩沖區 自定時寫周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除周期 100年數據保留 工業溫度范圍 符合RoHS標準的8引腳SOIC,T SSOP和8-pad UDFN軟件包 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 19:13 ? 422次 閱讀
免费少妇a级毛片